Парфеньев Роберт Васильевич

Директор Отделения физики диэлектриков и полупроводников Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН с 1993 г.; родился 29 мая 1937 г. в г. Архангельске; окончил факультет т радиоэлектроники Ленинградского политехнического института в 1961 г., доктор физико-математических наук, профессор, член-корреспондент РАЕН (2000); 1964—1993 — младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий сектором, заведующий лабораторией, заведующий отделом, заместитель директора Отделения физики ФТИ им. А. Ф. Иоффе; читает курс лекций на физико-техническом факультете Санкт-Петербургского государственного технического университета; член секции космического материаловедения при Совете по космосу РАН и член Научного совета РАН по проблеме "Физика низких температур", сопредседатель Международной школы по гравитационному материаловедению (США), председатель диссертационного совета при ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и СПбГТУ; ветеран труда, изобретатель СССР; лауреат премии А. Ф. Иоффе для молодых сотрудников Академии наук (1966); автор более 180 научных работ и 5 изобретений.